ASTM F419-1994 用门二极管和闭锁二极管的电压-电容器测量硅外延层中网载流子密度的测试方法

作者:标准资料网时间:2024-05-28 01:32:32 浏览:9815 来源:标准资料网

【英文标准名称】:TestMethodforDeterminingCarrierDensityinSiliconEpitaxialLayersbyCapacitance-VoltageMeasurementsonFabricatedJunctionorSchottkyDiodes
【原文标准名称】:用门二极管和闭锁二极管的电压-电容器测量硅外延层中网载流子密度的测试方法
【标准号】:ASTMF419-1994
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1994
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:密度;容量;电子工程;硅;电压;二极管;层;网络;试验
【英文主题词】:Capacitance-voltagemethod;Carrierdensity(insemiconductors);Density-electronicapplications;Dielectricbreakdown/strength-semiconductormaterials;Diodes;Epitaxialwafer;Gatebias;Inhomogeneities;Junctiondiode;Netcarrierdensity(in
【摘要】:1.1Thistestmethodcoversthemeasurementofcarrierdensityinsiliconepitaxiallayers.Theprecisionthatcanbeexpecteddependsuponthecarrier-densityinhomogeneitiesparallelandperpendiculartothejunctionanduponthecarrier-densityleve
【中国标准分类号】:H81
【国际标准分类号】:31_080_10
【页数】:11P.;A4
【正文语种】:

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